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해외주문 [Book] Materials Reliability in Microelectronics VII Volume 473

Mrs Proceedings | Hardcover | 473
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상품상세정보
ISBN 9781558993778(1558993770)
쪽수 457쪽
언어 English
크기 163(W) X 231(H) X 30(T) (mm)
제본형태 Hardcover
총권수 1권
Textual Format Proceedings
리딩지수 Level Professional

책소개

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The inexorable drive for increased integrated circuit functionality and performance places growing demands on the metal and dielectric thin films used in fabricating these circuits, as well as spurring demand for new materials applications and processes. In addition to meeting performance and manufacturability requirements, these materials and processes must yield circuits that operate reliably for many years. This volume from MRS, the 7th in a very successful series, directly addresses issues of widespread concern in the microelectronics industry -- smaller feature sizes, new materials and new applications that challenge the reliability of new technologies. While the volume continues the strong traditional focus on issues related to interconnect reliability, such as electromigration and stress, particular emphasis is placed on the effects of microstructure. An underlying theme throughout much of the volume is understanding the importance of interactions among different materials and associated interfaces comprising a single structure with dimensions near or below the micrometer scale. Reliability of thin-gate dielectric films is also featured.
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목차

Preface
Acknowledgments
Materials Research Society Symposium Proceedings
Adhesion Measurement of Interfaces in Multilayer Interconnect Structures
The Energy Release Rate for Decohesion in Thin Multilayered Films on Substrates
Progressive Debonding of Multilayer Interconnect Structures
Micromechanics Measurements Applied to Integrated-Circuit Microelectronics
Adhesion Assessment of Copper Thin Films
Effects of Adhesion on the Measurement of Thin-Film Mechanical Properties by Nanoindentation
Nanoindentation Hardness of Soft Films on Hard Substrates: Effects of the Substrate
Electrostatic Adhesion Testing for the Evaluation of Metallization Adhesion
Effects of Local Interfacial Debonding on the Stress Evolution in Aluminum Interconnects
Performance and Reliability of Scaled Gate Dielectrics
Synthesis of Ultrathin Stacked Oxides Using Low Pressure Single Furnace Cluster Process
In Situ Stress Measurements During Dry Oxidation of Silicon
Influence of Boron Diffusion on Ultrathin Oxides
Impact of Electrodes on Gate Oxide Reliability: Examples From Isolation and Gate-Stack Processing
Chemical Bonding and Si-SiO[subscript 2] Interface Reliability: (A) Minimization of Suboxide Transition Regions, and (B) Monolayer Incorporation of Nitrogen
Dependence of Reliability of Ultrathin MOS Gate Oxides on the Fermi Level Positions at Gate and Substrate
Surface Treatment With uv-Excited Radicals for Highly Reliable Gate Dielectrics
Impact of Metal Contamination of 7.0 nm Gate Oxides on Various Substrate Materials
Effect of Cl in Gate Oxidation
Organic Contamination of Silicon Wafer in Clean Room Air and Its Impact to Gate Oxide Integrity
Replacement of C-V Monitoring With Noncontact COS Charge Analysis
The Effect of Roughness Features on MOS Surface Electric Field and Fowler-Nordheim Tunneling Behavior
Identification of the Microscopic Structure of New Hot Carrier Damage Centers in Short Channel MOSFETS
Space Charge Analysis in Thin SiO[subscript 2] Films: Local Versus Uniform Degradation Models
Effect of Channel Profile Engineering on Hot Carrier Reliability in nMOSFETs With 100 nm Channel Lengths
Stress-Recovery Transients in Ultrathin Oxides on Silicon
Characterization of Hole Traps Generated by Electron Injection in Thin SiO[subscript 2] Films
Electromigration and 1/f Noise in Single-Crystalline, Bamboo and Polycrystalline Al Lines
The Microstructure and Electromigration Performance of Damascene-Fabricated Aluminum Interconnects
An Examination of Mass Transport Paths in Conventional and Highly Textured Al-Cu Interconnect Lines
Void Elongation Phenomena Observed in Polycrystalline Cu Interconnects at High Current Density Stressing Conditions
Observation of Electromigration Voiding in Cu Lines
Compositional Effects on the Degradation of PVD-TiSiN
Effects of Nitrogen on Preventing the Crystallization of Amorphous Ta-Si-N Diffusion Barrier
Electromigration in Short Al Lines Studied by High-Resolution Resistance Measurement
Kinetics of Cu Segregation in Al-Cu(1 at.% Cu) Interconnects Studied by Resistance Measurements
Thermal and Electromigration Strain Distributions in 10-[mu]m-Wide Aluminum Conductor Lines Measured by X-ray Microdiffraction
Thermal Conductivity Measurements of Interlevel Dielectrics
Scanning Stiffness Microscopy - A Novel Technique for Detecting Subsurface Cracks
Interconnect Limits on Gigascale Integration (GSI)
Modeling Stress Evolution in Electromigration
Modeling the Mechanisms of Cu-Enhanced Median Time to Failure in Al-Cu Interconnects Under Electromigration
Simulation of the Effect of Dielectric Air Gaps on Interconnect Reliability
Three-Dimensional Finite Element Simulation of Electro- and Stress-Migration Effects in Interconnect Lines
Numerical Simulations of Electromigration and Stress-Driven Diffusion in Polycrystalline Interconnects
A Growth Model of Stress Voids in Integrated-Circuit Metallization
Influence of Void Geometry on Electromigration Failure in Via-Line Structures
Behaviors of Precipitates, Voids, and Hillocks in Electromigration Stressed Al-2 wt%Cu Interconnects
Early Morphological Changes in Al Lines During Current Stressing
Relationship Between Structure and Electromigration Characteristics of Pure Aluminum Films
In Situ TEM Investigations of Electromigration-Induced Mass Transport in "Near-Bamboo" Al Interconnects
In Situ TEM investigation of Stress- and Electromigration-Induced Void Formation and Growth in Passivated Al Interconnects
The Effect of Cu Concentration and Distribution on the Lifetimes of Submicron, Bamboo Al(Cu) Runners
Corrosion Phenomena on the Grain Boundary of AlCu Films After Plasma Etching
Electromigration-Induced Failure as a Function of Via Interface
Mechanical Properties of Al-Cu Films With Various Heat Treatments
Comparison of Stresses in Al Lines Under Various Passivations
The Effect of Ti Interlayer on the Hillock Formation of Al-0.5 wt%Cu Films on the TiN/Ti/SiO[subscript 2]/Si Multilayer Structure
Reliability Improvement of Passivated Power Line in Memory Devices
Dependence of Strain and Plasticity During Thermal Cycling of Different Aluminum Metallization on Alloy Composition, Passivation Material, and Passivation Geometry
Isothermal Stress Relaxation in Passivated AlSiCu and Al Lines With Different Aspect Ratios
Finite-Element Calculations of Strains in Passivated Metal Lines
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Subject Index
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