반도체 소자 분석 (개정3판)
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작가정보
저자(글) DIETER K. SCHRODER
-저자 소개-
DIETER K. SCHRODER, PhD, is Professor, Department of Electrical Engineering, Arizona State University. He is a recipient of the ASU College of Engineering Teaching Excellence Award and several other teaching awards. In addition to Semiconductor Material and Device Characterization, Dr. Schroder is the author of Advanced MOS Devices.
-역자 소개-
이준신
뉴욕주립대학교 석사
뉴욕주립대학교 박사
(현) 성균관대학교 정보통신공학부 교수
최병덕
애리조나주립대학교 석사
애리조나주립대학교 박사
(현) 성균관대학교 정보통신공학부 교수
번역 이준신
번역 최병덕
목차
- 저자서문ⅰ
역자서문ⅴ
1장 저항률
2장 반송자와 도핑 농도
3장 접촉 저항과 쇼트키 장벽
4장 직렬 저항, 채널 길이와 폭, 문턱 전압
5장 결함
6장 산화막, 계면에 포획된 전하, 산화막 두께
7장 반송자 수명
8장 이동도
9장 탐침과 전하 기반 규명법
10장 광학적 규명
11장 화학적인 규명법과 물리적인 규명법
12장 신뢰도와 고장 분석
부록 1 LIST OF SYMBOLS
부록 2 ABBREVIATIONS AND ACRONYMS
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출판사 서평
이 책은 전기전자, 디스플레이, 반도체, 물리, 화학, 재료 분야의 학부 최고급 과정이나 대학원 초급 과정 학생을 대상으로 구성되어 있다. 산업체 기술과 연구 분야 전문인력에게는 참고 도서로서 사용 될 수 있을 것이다.
이 책은 애리조나 주립대학교의 슈로더 교수가 학생, 개발자, 생산과 응용 분야의 엔지니어와 과학자를 대상으로 개발하여 3판까지 수정 보완되었다.
반도체 규명과 관련된 전반적인 기술 을 12개의 장으로 구분하여 상세하게 명기하였다.
기존의 핵심적인 기술 기반 이론과 실무 적용 분야의 세부 기술까지를 자세하고 구체적으로 제시하여 이 책을 학습한 학생들은 기업에서 재교육하는 수고가 없어도 될 것이다.
각 장은 핵심 기술과 관련하여 수치화된 예제를 통해서 핵심 기술과 연관된 변수의 영향을 숙지하도록 구성되어 있다. 또한 보다 깊이 있는 문제는 각 장 마지막 부분에 연습문제로 추가하였으며, 1200편이 넘는 참고문헌을 제시하여 상세 기술을 습득할 수 있도록 하였다.
1장
새로운 면저항 설명; 새로운 4분 탐침법 유도; 얇은 접합과 높은 면저항 시편에 대한 4분 탐침 사용; 반송자 광조사(carrier illumination)법을 추가함.
2장
비접촉 C-V를 추가함; 적분 정전용량이 보완됨; 직렬 정전용량이 추가/보강됨; 자유 반송자 흡수 보강됨; 새로운 측면 프로파일링 절; 부록 2에 등가회로 유도를 추가함.
3장
원형 접촉 저항 절이 보강됨; 전송선 방법(TLM)에 기생 저항을 고려함; 탄도 전자 방출 현미경(BEEM)을 추가하여 장벽 높이 절을 확장함; 기생 저항 효과를 다루는 부록을 추가함.
4장
절연체 위에 실리콘(SOI) 규명을 위해서 유사 MOSFET 절을 추가함; MOSFET 유효 채널 길이 측정 방법에 여러 가지를 추가하고 일부 오래 된 방법은 삭제함.
5장
라플라스 DLTS를 추가함; 부록 5.2에 시상수 추출 부분을 추가함.
6장
산화막 두께 측정 절을 확장함; 전도도와 전하 펌핑에 누설이 있는 게이트 산화막의 효과에 대한 고찰을 추가함; DC-IV 방법을 추가함; 게이트 산화막 누설 전류 절이 확장됨; 웨이퍼 척의 기생 정전용량과 누설 전류 효과를 고려한 부록 6.2를 추가함.
7장
광학적 수명 측정 절을 명확히 함; 준 정상 상태 광전도도 추가함; 자유 반송자 흡수와 다이오드 전류 수명법을 보강함; 펄스 MOS 정전용량 기법에 산화막 누설 전류에 대한 고려를 추가함.
8장
유효 이동도 추출에 게이트 공핍, 채널 위치, 게이트 전류, 계면 트랩, 그리고 반전 전하 주파수 특성 등의 효과를 추가하였다. 또한 비접촉 이동도 측정 절을 추가하였다.
9장
이 장은 새로운 장으로 전하 기반 측정과 켈빈 탐침을 소개한다. 주사 정전용량, 주사 켈빈력, 주사 퍼짐 저항, 탄도 전자 방출 현미경을 포함하여 전하 기반 측정을 확장하였다.
10장
공초점 광학 현미경, 광 발광, 선폭 측정이 확장됨.
11장
일부 내용이 수정됨.
12장
새로운 장으로 고장 분석과 신뢰도를 다룬다. 2판의 다른 장들에서 일부를 발췌하여 확장하였다. 고장 시간과 분포 함수를 소개하고 전자 이주, 핫 캐리어, 게이트 산화막 충실도, 음 바이어스 온도 불안정성, 스
트레스에 기인한 누설 전류, 소자 신뢰도에 연관된 정전기 방전 등을 논의한다. 이 장의 나머지 부분은 보다 일반적인 고장 분석 기술로 부동(quiescent) 드레인 전류; 기계적 탐침; 방출 현미경; 형광 미세열
사진기술; 적외선 열사진기술; 전압 대조; 레이저 전압 탐침; 광 빔 유도에 의한 저항 변화와 잡음을 설명한다.
기본정보
ISBN | 9788995557099 | ||
---|---|---|---|
발행(출시)일자 | 2008년 02월 15일 | ||
쪽수 | 793쪽 | ||
크기 |
188 * 254
mm
|
||
총권수 | 1권 | ||
원서명/저자명 | Semiconductor Material and Device Characterization, 3rd Edition/Dieter K. Schroder |
Klover
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