[Book] Physics of Semiconductor Devices

3/E | Hardcover

Sze, Simon M. 지음 | Wiley | 2006년 10월 01일

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상품상세정보
ISBN	9780471143239(0471143235)
쪽수	815쪽
언어	English
크기	166(W) X 238(H) X 43(T) (mm)
판	3/E
제본형태	양장(HardCover)-Hardcover
총권수	1권
Textual Format	Textbooks, Lower level
리딩지수 Level	Scholarly/Graduate

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책소개

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This text provides detailed information on the underlying physics and operational characteristics of all major bipolar, unipolar, special microwave, and optoelectronic devices.

저자소개

저자 : Sze, Simon M.

Introduction 1(6)
Part I Semiconductor Physics
Chapter 1 Physics and Properties of Semiconductors? Review 7(72)
1.1 Introduction, 7(1)
1.2 Crystal Structure, 8(4)
1.3 Energy Bands and Energy Gap, 12(4)
1.4 Carrier Concentration at Thermal Equilibrium, 16(12)
1.5 Carrier-Transport Phenomena, 28(22)
1.6 Phonon, Optical, and Thermal Properties, 50(6)
1.7 Heterojunctions and Nanostructures, 56(6)
1.8 Basic Equations and Examples, 62(17)
Part II Device Building Blocks
Chapter 2 p-n Junctions 79(55)
2.1 Introduction, 79(1)
2.2 Depletion Region, 80(10)
2.3 Current-Voltage Characteristics, 90(12)
2.4 Junction Breakdown, 102(12)
2.5 Transient Behavior and Noise, 114(4)
2.6 Terminal Functions, 118(6)
2.7 Heterojunctions, 124(10)
Chapter 3 Metal-Semiconductor Contacts 134(63)
3.1 Introduction, 134(1)
3.2 Formation of Barrier, 135(18)
3.3 Current Transport Processes, 153(17)
3.4 Measurement of Barrier Height, 170(11)
3.5 Device Structures, 181(6)
3.6 Ohmic Contact, 187(10)
Chapter 4 Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors 197(46)
4.1 Introduction, 197(1)
4.2 Ideal MIS Capacitor, 198(15)
4.3 Silicon MOS Capacitor, 213(30)
Part III Transistors
Chapter 5 Bipolar Transistors 243(50)
5.1 Introduction, 243(1)
5.2 Static Characteristics, 244(18)
5.3 Microwave Characteristics, 262(13)
5.4 Related Device Structures, 275(7)
5.5 Heterojunction Bipolar Transistor, 282(11)
Chapter 6 MOSFETs 293(81)
6.1 Introduction, 293(4)
6.2 Basic Device Characteristics, 297(23)
6.3 Nonuniform Doping and Buried-Channel Device, 320(8)
6.4 Device Scaling and Short-Channel Effects, 328(11)
6.5 MOSFET Structures, 339(8)
6.6 Circuit Applications, 347(3)
6.7 Nonvolatile Memory Devices, 350(10)
6.8 Single-Electron Transistor, 360(14)
Chapter 7 JFETs, MESFETs, and MODFETs 374(43)
7.1 Introduction, 374(1)
7.2 JFET and MESFET, 375(26)
7.3 MODFET, 401(16)
Part IV Negative-Resistance and Power Devices
Chapter 8 Tunnel Devices 417(49)
8.1 Introduction, 417(1)
8.2 Tunnel Diode, 418(17)
8.3 Related Tunnel Devices, 435(19)
8.4 Resonant-Tunneling Diode, 454(12)
Chapter 9 IMPATT Diodes 466(44)
9.1 Introduction, 466(1)
9.2 Static Characteristics, 467(7)
9.3 Dynamic Characteristics, 474(8)
9.4 Power and Efficiency, 482(7)
9.5 Noise Behavior, 489(4)
9.6 Device Design and Performance, 493(4)
9.7 BARITT Diode, 497(7)
9.8 TUNNETT Diode, 504(6)
Chapter 10 Transferred-Electron and Real-Space-Transfer Devices 510(38)
10.1 Introduction, 510(1)
10.2 Transferred-Electron Device, 511(25)
10.3 Real-Space-Transfer Devices, 536(12)
Chapter 11 Thyristors and Power Devices 548(53)
11.1 Introduction, 548(1)
11.2 Thyristor Characteristics, 549(25)
11.3 Thyristor Variations, 574(8)
11.4 Other Power Devices, 582(19)
Part V Photonic Devices and Sensors
Chapter 12 LEDs and Lasers 601(62)
12.1 Introduction, 601(2)
12.2 Radiative Transitions, 603(5)
12.3 Light-Emitting Diode (LED), 608(13)
12.4 Laser Physics, 621(9)
12.5 Laser Operating Characteristics, 630(21)
12.6 Specialty Lasers, 651(12)
Chapter 13 Photodetectors and Solar Cells 663(80)
13.1 Introduction, 663(4)
13.2 Photoconductor, 667(4)
13.3 Photodiodes, 671(12)
13.4 Avalanche Photodiode, 683(11)
13.5 Phototransistor, 694(3)
13.6 Charge-Coupled Device (CCD), 697(15)
13.7 Metal-Semiconductor-Metal Photodetector, 712(4)
13.8 Quantum-Well Infrared Photodetector, 716(3)
13.9 Solar Cell, 719(24)
Chapter 14 Sensors 743(30)
14.1 Introduction, 743(1)
14.2 Thermal Sensors, 744(6)
14.3 Mechanical Sensors, 750(8)
14.4 Magnetic Sensors, 758(7)
14.5 Chemical Sensors, 765(8)
Appendixes 773(20)
A. List of Symbols, 775(10)
B. International System of Units, 785(1)
C. Unit Prefixes, 786(1)
D. Greek Alphabet, 787(1)
E. Physical Constants, 788(1)
F. Properties of Important Semiconductors, 789(1)
G. Properties of Si and GaAs, 790(1)
H. Properties of SiO2 and Si3N4, 791(2)
Index 793

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